TSHF5211 现可提供样品并已实现量产，辐照强度和升降时间优于前代器件。半强角只有± 10°，

日前发布的发光二极管100mA驱动电流下典型辐照强度达235 mW/sr，

新型 890 nm 高速红外(IR) 发光二极管

高速器件采用表面发射器芯片技术

优异的VF温度系数达-1.0 mV/K

Vishay推出一款采用透明无色引线型塑料封装的新型890 nm高速红外 ( IR ) 发光二极管
， 器件符合RoHS和Vishay绿色标准 ，大宗订货供货周期为 20 周。 顶: 9踩: 7161